InAs/InP quantum dot VECSEL emitting at 1.5 μm

Autor: A. Caliman, Christophe Levallois, Cyril Paranthoen, Gaëlle Brévalle, Mehdi Alouini, Grigore Suruceanu, K. Nechay, Elyahou Kapon, Alexandru Mereuta, Nicolas Chevalier, Mathieu Perrin, Mircea Guina
Přispěvatelé: Tampere University of Technology [Tampere] (TUT), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), LakeDiamond SA, ANR-15-CE24-0034-01, Agence Nationale de la Recherche, ANR-15-CE24-0034-01, Suiss National Science Foundation, ANR-15-CE24-0034,IDYLIC,Etudes des boites quantiques au sein de lasers à émission verticale et en cavité externe sous injection électrique pour la réalisation d'émetteurs bi-fréquence cohérent et compact(2015), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 2019, 115 (17), pp.171105. ⟨10.1063/1.5125632⟩
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 115 (17), pp.171105. ⟨10.1063/1.5125632⟩
ISSN: 0003-6951
Popis: International audience; A high-power InAs quantum dot (QDs) vertical-external-cavity surface-emitting laser emitting at 1.5 µm is reported. The active region employs 20 layers of high-density Stranski-Krastanow InAs quantum dots on InP substrate. QDs density and emission wavelength was independently adjusted by employing a double-cap growth sequence. Optimization of the spacer layers thickness and strain compensation rendered possible nucleation of a relatively high number of QD layers per antinode of the electromagnetic standing wave, which in turn enabled a high output power continuous wave operation of about 2.2 W. The operation wavelength could be tuned over 60 nm, taking advantage of the broadband gain characteristic of QD media. AS
Databáze: OpenAIRE