Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests
| Autor: | F. Fouquet, Olivier Latry, Mohamed Masmoudi, Safa Mbarek, Pascal Dherbécourt |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: |
Materials science
Nanotechnology Time-dependent gate oxide breakdown 02 engineering and technology 01 natural sciences Gate oxide 0103 physical sciences MOSFET 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering Electrical and Electronic Engineering Power MOSFET [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat] Safety Risk Reliability and Quality ComputingMilieux_MISCELLANEOUS 010302 applied physics Negative-bias temperature instability business.industry 020208 electrical & electronic engineering Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Threshold voltage Optoelectronics business Short circuit AND gate |
| Zdroj: | Microelectronics Reliability Microelectronics Reliability, Elsevier, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩ Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩ |
| ISSN: | 0026-2714 |
| Popis: | SiC MOSFETs reliability issues remain a challenge that requires further investigation. In this article, a short-circuit aging test was developed to characterize the electrical parameter evolution. The threshold voltage and gate drain capacitance seem to be relevant degradation indicators. These two parameters indicate a gate oxide degradation. Electron trapping in the oxide layer could be the mechanism behind this deterioration. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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