Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням
| Autor: | D. A. Kolesnikov, V. S. Zakhvalinskii, A. A. Morocho, I. Yu. Goncharov, T. B. Nikulicheva, M. N. Yaprintsev, E. A. Pilyuk, S. V. Ivanchikhin, О. V. Glukhov |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: |
стрибкова провідність
Radiation Materials science арсенід кадмію Dirac semimetals business.industry Cadmium arsenide hopping conductivity Sputter deposition Conductivity Condensed Matter Physics тонкі плівки chemistry.chemical_compound cadmium arsenide chemistry thin films Діраковскі напівметали Optoelectronics General Materials Science Thin film business Mechanism (sociology) |
| Popis: | Плівки арсеніду кадмію на підкладках окисленого кремнію отримані ВЧ-магнетронним розпиленням. Досліджено структуру та морфологію поверхні методами АСМ та раманівської спектроскопії. На спектрі КРС присутні характерні для плівок Cd3As2 піки при 194, 249 і 303 см – 1. Рухливість носіїв в зразках склала 0,15-1,7·103 см2В – 1с – 1 при концентрації 0,7-4,4·1019 см – 3. Встановлено, що для зразка №1 в інтервалі температур T = 10 ÷ 15 K реалізується механізм електропровідності за законом Мотта. Це можна пояснити тим, що мікроскопічне розупорядкування стає важливим для локалізації електронів в цьому температурному регіоні. Цьому сприяє зниження температури або зростання ступеня безладу. В цьому випадку стрибок стає можливим тільки всередині енергетичної смуги Мотта поблизу рівня Фермі. Перенесення заряду в зразку №2 при T = 220 ÷ 300 K здійснюється шляхом стрибкової провідності електронів зі змінною довжиною стрибка по локалізованим станам, що лежать у вузькій смузі енергій поблизу рівня Фермі. Ці стани можуть створюватися міжзеренними межами і дислокаціями. Співвідношення між значеннями кулонівської щілини Δ і шириною зони локалізованих станів W узгоджуються з відповідним механізмом провідності. Cadmium arsenide films on oxidized silicon substrates were obtained by RF magnetron sputtering. The structure and morphology of the surface were studied by atomic force microscopy (AFM) and Raman spectroscopy (RS). The Raman spectrum contains peaks characteristic for Cd3As2 films at 194, 249, and 303 cm − 1. The carrier mobility in the samples was 0.15-1.7·103 cm2V − 1s − 1 at concentrations of 0.7- 4.4·1019 cm − 3. It has been established that for the sample No 1 in the temperature range T = 10-15 K, the variable-range hopping (VRH) conductivity mechanism according to the Mott law is implemented. This can be explained by the fact that a microscopic disorder becomes important for electron localization in this temperature region. This is due to a decrease in temperature or an increase in the degree of disorder. In this case, the jump becomes possible only inside the Mott energy band near the Fermi level. The charge transfer in sample No 2 at T = 220-300 K is carried out by the VRH conductivity of the jump over localized states lying in a narrow energy band near the Fermi level. These states can be created by grain boundaries and dislocations. The relations between the values of the Coulomb gap Δ and the zone width of localized states W are consistent with the corresponding conduction mechanism. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|