Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation
| Autor: | G. Ben Assayag, Michele Perego, Panagiotis Dimitrakis, S. Schamm, Nikolay Cherkashin, Marco Fanciulli, Pascal Normand, V. Ioannou-Sougleridis, Caroline Bonafos, V. Em. Vamvakas |
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| Přispěvatelé: | National Center for Scientific Research 'Demokritos' (NCSR), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Laboratorio Nazionale MDM CNR-INFM, National Center for Scientific Research 'Demokritos' ( NCSR ), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme ( CEMES-MEM ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse) |
| Rok vydání: | 2007 |
| Předmět: |
[PHYS]Physics [physics]
010302 applied physics [ PHYS ] Physics [physics] Chemistry education Oxide Analytical chemistry 02 engineering and technology Trapping Nitride 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics 01 natural sciences Atomic and Molecular Physics and Optics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Secondary ion mass spectrometry chemistry.chemical_compound Ion implantation Low energy Transmission electron microscopy 0103 physical sciences Wet oxidation Electrical and Electronic Engineering 0210 nano-technology |
| Zdroj: | Microelectronic Engineering Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.068⟩ Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. 〈10.1016/j.mee.2007.04.068〉 Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.1986--1989. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.068⟩ Microelectronic engineering 84 (2007): 1986–1989. info:cnr-pdr/source/autori:Ioannou-Sougleridis, V; Dimitrakis, P; Vamvakas, VE; Normand, P; Bonafos, C; Schamm, S; Cherkashin, N; Ben Assayag, G; Perego, M; Fanciulli, M/titolo:Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2007/pagina_da:1986/pagina_a:1989/intervallo_pagine:1986–1989/volume:84 |
| ISSN: | 0167-9317 1873-5568 |
| Popis: | International audience; This work presents an alternative method for the formation of the top oxide in oxide-nitride-oxide structures. The method utilizes low-energy (1 keV) Si ion implantation into thin oxide-nitride stacks, followed by low temperature wet oxidation. Transmission electron microscopy examination clearly indicates the formation of a three-layer structure, verified also by Time-of flight secondary ion mass spectrometry. The electrical characteristics of the oxide-nitride-oxide stacks exhibit strong trapping effects and excellent retention characteristics resulting to a 1.5 V 10-year memory window at 125 °C. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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