Improvements in Realizing 4H-SiC Thermal Neutron Detectors
| Autor: | Laurent Ottaviani, Vanessa Vervisch, F. Issa, Andrej Yu. Kuznetsov, L. Vermeeren, D. Szalkai, A. Lyoussi, Axel Klix, M. Lazar, Anders Hallén, Olivier Palais |
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| Přispěvatelé: | Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Centre d'Etude de l'Energie Nucléaire (SCK-CEN), Département Etude des Réacteurs (DER), CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) (CEA-DES (ex-DEN)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), University of Oslo (UiO), Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: |
Materials science
business.industry 020502 materials 020209 energy Physics QC1-999 Detector [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power Electrical engineering chemistry.chemical_element 02 engineering and technology Neutron temperature Semiconductor detector Ion implantation Signal-to-noise ratio 0205 materials engineering chemistry Aluminium 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering Optoelectronics Current (fluid) business Layer (electronics) |
| Zdroj: | EPJ Web of Conferences EPJ Web of Conferences, 2016, 106, ⟨10.1051/epjconf/201610605004⟩ EPJ Web of Conferences, EDP Sciences, 2016, 106, ⟨10.1051/epjconf/201610605004⟩ EPJ Web of Conferences, Vol 106, p 05004 (2016) |
| ISSN: | 2100-014X |
| DOI: | 10.1051/epjconf/201610605004⟩ |
| Popis: | International audience; In this work we presented two types of 4H-SiC semiconductor detectors (D1 and D2) both based on ion implantation of 10B inside the aluminum metallic contact. The first detector shows a high leakage current after the implantation and low signal to noise ratio. However, improvements concerning the implantation parameters and the distance between the implanted 10B thermal neutron converter layer and the active pn-junction have led to low leakage current and thus to higher signal to noise ratio. This proves the strength of this new method of realizing sensitive SiC-based thermal neutron detectors. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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