Line-shape analysis of the reflectivity spectra of GaAs/(Ga,Al)As single quantum wells grown on (001)- and (311)-oriented substrates

Autor:	Y. El Khalifi, Gérard Neu, Hisao Nakashima, Bernard Gil, Jean Massies, C. de Paris, Toshiaki Fukunaga, Henry Mathieu
Rok vydání:	1990
Předmět:	Physics Optics business.industry Semiconductor materials Atomic physics business Reflectivity Spectral line Quantum well Optical reflection
Zdroj:	Physical Review B. 41:2885-2889
ISSN:	1095-3795 0163-1829
Popis:	Calcul de la forme des raies de reflectivite en fonction de l'epaisseur pres des resonances excitoniques. Par comparaison directe entre la reflectivite experimentale et celle calculee, on deduit la force de l'oscillateur des excitons 1s et 2s. L'exciton de trou leger est plus sensible a la direction de croissance que celui de trou lourd
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a670ead2d59e0b8fc58960a728fa9e65 https://doi.org/10.1103/physrevb.41.2885 Zobrazit plný text záznamu