Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si
| Autor: | V.N. Telega, V.V. Buchenko, V.V. Lendel, A.E. Lushkin, N.S. Goloborodko, V.A. Vinichenko |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: |
transparent oxides
absorption spectrum Materials science business.industry прозорi оксиди 010401 analytical chemistry General Physics and Astronomy Heterojunction 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences 0104 chemical sciences спектр поглинання thin films вольт-ампернi характеристики тонкi плiвки Optoelectronics current-voltage characteristics 0210 nano-technology business |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 3 (2016); 240 Український фізичний журнал; Том 61 № 3 (2016); 240 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe61.03 |
| Popis: | Optical and electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructures with films 6 and 12 nm in thickness deposited on a nanostructured silicon surface by the magnetron sputtering have been considered. It is shown that the 6-nm film is characterized by several peaks in the optical absorption spectrum, while the 12-nm film has no absorption peaks in the same spectral interval. The influence of the environment and the optical irradiation on the electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si structures is determined. Their response to the gas environment is shown to be governed by the dielectric permittivity of an adsorbate. The results obtained can be used in the development of resistive gas sensors based on 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si films. У роботi розглянуто оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si з товщиною плiвок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнiю. Показано, що для плiвки товщиною 6 нм характерна наявнiсть декiлькох пiкiв оптичного поглинання, тодi як у структурi з товщиною 12 нм в тому ж спектральному дiапазонi цi максимуми вiдсутнi. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромiнювання на електрофiзичнi властивостi структур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si та показано, що вiдгук дослiджуваних структур на газове середовище пов’язаний з дiелектричною проникнiстю адсорбату. Результати даного дослiдження можна застосовувати при розробцi резистивних газових сенсорiв на основi плiвок 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|