Reliability approach of high density Through Silicon Via (TSV)
Autor: | P. Leduc, Lucile Arnaud, T. Frank, Stephane Moreau, Rebha El Farhane, Aurelie Thuaire, Cedrick Chappaz, Lorena Anghel |
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Přispěvatelé: | STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon] (IBCP), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de glaciologie et géophysique de l'environnement (LGGE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire des Sciences de l'Univers de Grenoble (OSUG), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]), Institut de recherche sur la biologie de l'insecte UMR7261 (IRBI), Université de Tours-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Observatoire des Sciences de l'Univers de Grenoble (OSUG), Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Université de Tours (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2010 |
Předmět: |
010302 applied physics
Void (astronomy) Materials science Silicon Through-silicon via chemistry.chemical_element High density 02 engineering and technology Temperature cycling 7. Clean energy 01 natural sciences Electromigration 020202 computer hardware & architecture high-density-ASIC chemistry Electrical resistance and conductance Impurity PACS 85.42 0103 physical sciences 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering Electronic engineering Composite material [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics |
Zdroj: | Proc. of 12th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC'10) 12th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC'10) 12th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC'10), Dec 2010, Singapore, Singapore. pp.321-324, ⟨10.1109/EPTC.2010.5702655⟩ |
DOI: | 10.1109/EPTC.2010.5702655⟩ |
Popis: | ISBN 978-1-4244-8561-1; International audience; This paper focuses on the link between initial electrical resistance of Through Silicon Via (TSV), and possible failure occurring during Thermal Cycling Test (TCT) and electromigration (EM) tests. Physical analyses reveal the presence of a carbon impurity layer at bottom of the higher resistance TSVs. This impurity induces failure during TCT, but has no impact on EM time to failure distribution. We also discuss the relevance of different electrical resistance failure criterions after TCT for a single TSV. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |