New method to induce 2D–3D transition of strained CdSe/ZnSe layers
| Autor: | Régis André, I. C. Robin, Jean-Michel Gérard, Le Si Dang, Henri Mariette, Serge Tatarenko, Edith Bellet-Amalric |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire de Spectrométrie Physique (LSP), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Département d'Optronique (DOPT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) |
| Rok vydání: | 2005 |
| Předmět: |
[PHYS]Physics [physics]
010302 applied physics Diffraction High energy Photoluminescence Reflection high-energy electron diffraction Materials science business.industry 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics 01 natural sciences Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials Optics Electron diffraction Quantum dot 0103 physical sciences Optoelectronics Amorphous selenium 0210 nano-technology business Layer (electronics) ComputingMilieux_MISCELLANEOUS |
| Zdroj: | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 26 (1-4), pp.119-123, 2005, ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩ Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2005, 26 (1-4), pp.119-123. ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩ Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2005, 26 (1-4), pp.119-123. ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩ |
| ISSN: | 1386-9477 |
| DOI: | 10.1016/j.physe.2004.08.036 |
| Popis: | We present new growth conditions for growing high-quality CdSe/ZnSe quantum dots with photoluminescence emission measurable up to room temperature. The surface morphology is characterized in situ by Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED). The key point is the introduction of a new step in the growth process using amorphous selenium to induce a 2D–3D transition of a CdSe strained layer on ZnSe to form the dots. Optical characterizations by photoluminescence of CdSe/ZnSe quantum dots obtained that way, as well as X-ray diffraction results are also discussed here. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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