Inductively coupled fluorine plasmas
| Autor: | Bruno da Silva Rodrigues |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Patrick Bernard Verdonck, Homero Santiago Maciel, Stanislav Mochkalev |
| Jazyk: | portugalština |
| Rok vydání: | 2006 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP Universidade de São Paulo (USP) instacron:USP |
| Popis: | Este trabalho de mestrado tem o intuito de caracterizar plasmas do tipo indutivo (ICP). Para a caracterização do plasma, foram usadas técnicas de espectroscopia e medidas elétricas. Foram analisados plasmas de Argônio, por ser um gás inerte, oxigênio, por ser um pouco eletronegativo, SF6, por ser um gás muito eletronegativo e útil para a corrosão de silício, misturas de oxigênio e SF6 com Ar, CF4 e misturas de CF4 com Ar. Observou-se que obtêm-se plasmas indutivamente acoplados quando se cria uma condição de concentração mínima de elétrons livres no plasma. Isso acontece quando há uma certa potência aplicada no eletrodo e outra potência aplicada na bobina. Quanto menos eletronegativo o gás, menores são estas potências. Nos casos estudados significa que é mais fácil obter acoplamento indutivo com Ar puro, depois com as misturas dos gases. Em nosso reator foi mais difícil conseguir obter plasmas indutivamente acoplados com O2 e SF6 puros, pois não tivemos condições de hardware" para aplicar as potências altas as suficientes para criar o plasma indutivo. Também estudamos dois materiais como material de eletrodo, estanho e alumínio e observamos que para o SF6 há uma maior concentração de F com eletrodo de Sn enquanto para CF4 a concentração de F e maior com eletrodo de Al. In this work, inductively coupled plasmas have been studied, using optical emission spectroscopy and electrical measurements. Four gases were analysed : argon, being an inert gas, oxygen because it is slightly electronegative, SF6 because it is very eletronegative and also etches silicon and its compounds and CF4 because it also etches silicon and its compounds and is slightly electronegative. Also the mixtures of oxygen, SF6, important to silicon etching and CF4 with argon were studied. The studies indicated that it is necessary to have a minimum concentration of free electrons in the plasma to obtain an inductively coupled plasma. This depends very strongly on the power levels applied to the cathode and the coil of the reactor, The less electronegative the gas, the lower these power levels. Hence it was easiest to obtain argon inductively coupled plasmas, followed by the argon mixtures and with the pure gases it more difficult to obtain ICP plasmas with the available hardware. Two materials were studied as cathode material: tin and aluminium. When using SF6, the highest F concentration was obtained with the tin electrode, but for CF4 gases, the highest fluorine concentration was obtained with the aluminium electrode. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|