Effect of the plasma etching on InAsP/InP quantum well structures measured through low temperature micro-photoluminescence and cathodoluminescence

Autor: Shabnam Dadgostar, Camille Petit-Etienne, Christophe Levallois, Nebile Isik Goktas, Jean-Pierre Landesman, Ray R. LaPierre, Erwine Pargon, Juan Jiménez, S. Ghanad-Tavakoli
Přispěvatelé: Jonchère, Laurent, Mascher P.Rosei F.Lockwood D.J., Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), McMaster University [Hamilton, Ontario], Laboratoire Trafic Membranaire (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Universidad de Valladolid [Valladolid] (UVa), IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Université Bretagne Loire (UBL)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2020
Předmět:
Zdroj: 237th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors, IMCS 2020
237th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors, IMCS 2020, May 2020, Montréal, Canada. pp.43-55
ECS Transactions
ECS Transactions, Electrochemical Society, Inc., 2020, 97 (2), pp.43-55. ⟨10.1149/09702.0043ecst⟩
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
instname
ECS Transactions, 2020, 97 (2), pp.43-55. ⟨10.1149/09702.0043ecst⟩
ISSN: 1938-5862
1938-6737
DOI: 10.1149/09702.0043ecst⟩
Popis: Producción Científica
Photoluminescence and cathodoluminescence spectral imaging were performed across rectangular stripes etched in samples with InAsxP1-x quantum wells of constant thickness and variable composition grown on InP. In particular, the effects of different etching chemistries (CH4/H2/Ar and Cl2/CH4/Ar) were investigated. The results discussed deal with modifications of the luminescence line shapes (which differ with etching process) and with the intensity variation of the emissions associated with the quantum wells across the stripes. The possible origins of these effects are investigated in terms of carrier recombination on the vertical sidewalls of the stripes and lateral diffusion of species from the plasma during etching. Cathodoluminescence measurements on samples under DC-bias also show the quantum confined Stark effect which is correlated to the material modifications induced by the etching.
Databáze: OpenAIRE
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