The role of surface diffusion in the growth mechanism of III-nitride nanowires and nanotubes

Autor: Jean-Luc Rouvière, Bruno Daudin, Ana Cros, Martien Den Hertog, Alexandra-Madalina Siladie, Eric Robin, Marion Gruart, Catherine Bougerol, Benedikt Haas, Maria-José Recio-Carretero, Núria Garro
Přispěvatelé: Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Matériaux, Rayonnements, Structure (NEEL - MRS), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut Universitari de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de València (UV), Matériaux, Rayonnements, Structure (MRS), Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Rok vydání: 2020
Předmět:
Zdroj: Nanotechnology
Nanotechnology, 2021, 32 (8), pp.085606. ⟨10.1088/1361-6528/abc780⟩
Nanotechnology, Institute of Physics, 2021, 32 (8), pp.085606. ⟨10.1088/1361-6528/abc780⟩
ISSN: 1361-6528
0957-4484
Popis: The spontaneous growth of GaN nanowires (NWs) in absence of catalyst is controlled by the Ga flux impinging both directly on the top and on the side walls and diffusing to the top. The presence of diffusion barriers on the top surface and at the frontier between the top and the sidewalls, however, causes an inhomogeneous distribution of Ga adatoms at the NW top surface resulting in a GaN accumulation in its periphery. The increased nucleation rate in the periphery promotes the spontaneous formation of superlattices in InGaN and AlGaN NWs. In the case of AlN NWs, the presence of Mg can enhance the otherwise short Al diffusion length along the sidewalls inducing the formation of AlN nanotubes.
Databáze: OpenAIRE