GaN-Nanostreifen für LED- und Laseranwendungen
| Autor: | Leute, Robert Anton Richard |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Scholz, Ferdinand, Schwarz, Ulrich Theodor |
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: |
Selektive Epitaxie
Halbleitertechnologie Galliumnitrid Lithografie Nanolithografie Nanolithography Halbleiterlaser Laserdiode Wide gap semiconductor Diodes semiconductor Gallium nitride Epitaxie Metal organic chemical vapor deposition Wide-gap-Halbleiter Lumineszenzdiode Nanostructures Heteroepitaxie Quantenwell DDC 620 / Engineering & allied operations Photonischer Kristall ddc:620 MOCVD-Verfahren Nanostruktur Epitaxy |
| DOI: | 10.18725/oparu-4341 |
| Popis: | In dieser Arbeit werden GaN-basierte Nanostreifen mit semipolaren InGaN-Quantenfilmen überwachsen und in polare LED- sowie Laserstrukturen eingebettet. Dafür werden nanolithografische Verfahren eingesetzt und sowohl Strukturierung als auch selektive Epitaxie im Submikrometer-Maßstab entwickelt und optimiert. Das emittierte Licht der so hergestellten Proben konnte in einem weiten Wellenlängenbereich von violett bis echt-grün (400 nm - 535 nm) eingestellt werden. Durch den semipolaren Charakter der Proben ist die Emission aus der Oberfläche polarisiert. Zudem wirken die Nanostrukturen als 1D-Photonischer Kristall, so dass eine gerichtete Emission mit hohem Q-Faktor nachgewiesen werden konnte. Bei Einbettung in eine Wellenleiterstruktur wurde eine Laserschwelle bestimmt. Zudem wurde die Qualität und die Optimierung der Nanostrukturen durch eine Vielzahl mikroskopischer und spektroskopischer Methoden untersucht. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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