Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line

Autor: Thierry Baron, Nicolas Baboux, Edgar A. A. Leon Perez, Abdelkader Souifi, L. Militaru, Khaled Ayadi, J. Moeyaert, Oumaima Abouzaid, Pierre-Vincent Guenery
Přispěvatelé: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Clot, Marielle, Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Inl, Laboratoire INL UMR5270
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Materials science
Fabrication
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Oxide
Nanoparticle
chemistry.chemical_element
Nanotechnology
02 engineering and technology
[SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials
01 natural sciences
law.invention
[PHYS] Physics [physics]
[SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
chemistry.chemical_compound
law
Hardware_GENERAL
0103 physical sciences
Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
010302 applied physics
[PHYS]Physics [physics]
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
021001 nanoscience & nanotechnology
Resistive random-access memory
Non-volatile memory
Capacitor
CMOS
chemistry
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
0210 nano-technology
Indium
Zdroj: EUROSOI-ULIS, 2017
EUROSOI-ULIS, 2017, Jan 2017, Athens, Greece
EUROSOI-ULIS
EUROSOI-ULIS, 2017, pp.47-50
Popis: 3-5 April 2017; International audience; We report on the fabrication and characterization of Resistive Random Access Memory (RRAM) devices based on nanoparticles with a memory capacitor structure. Our approach is based on the use of indium oxide (In2O3) nanoparticles (or nanocrystals NCs) embedded in a dielectric matrix as a charge trapping layer using CMOS-full-compatible fabrication processes in view of back-end-off-line integration for non-volatile memory (NVM) applications. Current-voltage characteristics (I-V) showed bipolar switching behavior for all the fabricated devices, with ION/IOFF ratios up to 105. Moreover, our best structure yields up to 24 write/erase cycles, proving that our results provide insights for further integration of In2O3 nanoparticles-based devices.
Databáze: OpenAIRE
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