Orientation control of Platinum electrode grown on silicon using [Ca2Nb3O10]− nanosheets as seed layer

Autor: J.J. Manguele, F. Baudouin, C. Cibert, B. Domengès, V. Demange, M. Guilloux-Viry, A. Fouchet, G. Poullain
Přispěvatelé: École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Synthèse Caractérisation Analyse de la Matière (ScanMAT), Université de Rennes (UR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Agence Nationale de la Recherche, ANR: ANR-11-EQPX-0020, ANR-17-CE08-0012, ANR-11-EQPX-0020,GENESIS,Groupe d'Etudes et de Nanoanalyses des Effets d'IrradiationS(2011), ANR-17-CE08-0012,Polynash,Substrats bas couts polycristallins et Nanofeuillets de germination(2017)
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: Thin Solid Films
Thin Solid Films, 2023, 765, pp.139640. ⟨10.1016/j.tsf.2022.139640⟩
ISSN: 0040-6090
DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139640
Popis: International audience; Platinum (Pt) is a noble metal with low resistivity and resilience to oxidation, which is largely used in microelectronic devices. In order to facilitate the integration of Pt thin films on silicon substrate, we are showing the ability to control their orientation by using [Ca2Nb3O10]− nanosheets (CNOns) as seed layer. Pt thin films were sputtered on silicon coated by CNOns (CNOns/SiO2/Si), and on TiO2/SiO2/Si substrates for comparison, at temperatures ranging from room temperature up to 625°C. Under pure argon, highly (111) textured Pt thin films were obtained on both substrates, regardless of the deposition temperature. However, by using an oxygen/argon mixture, highly (200) textured films could be obtained, only on CNOns/SiO2/Si substrate, when the substrate temperature is above 550°C. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy were used to characterize the crystalline quality, thickness, surface morphology and roughness of the Pt thin films. Their resistivity was measured at room temperature by the four-point probes method.
Databáze: OpenAIRE
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