Analysis of electrical conduction mechanism in the high temperature range of the nanostructured photoabsorber Cu 2 SnS 3
Autor: | M. Belaqziz, K. Djessas, Lahcen Essaleh, S. Lahlali, H. Chehouani, B. Viallet |
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Přispěvatelé: | Laboratoire Procédés, Métrologie, Matériaux pour l′Énergie et Environnement, Laboratoire de Matière Condensée et Nanostructures (LMCN), Faculté des Sciences et Techniques Gueliz-Université Cadi Ayyad [Marrakech] (UCA), Procédés, Matériaux et Energie Solaire (PROMES), Université de Perpignan Via Domitia (UPVD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2016 |
Předmět: |
010302 applied physics
Materials science Condensed matter physics business.industry Impedance spectroscopy 02 engineering and technology Activation energy Atmospheric temperature range 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Thermal conduction 01 natural sciences Electronic Optical and Magnetic Materials Dielectric spectroscopy Semiconductor Electrical resistivity and conductivity Copper ternary compounds 0103 physical sciences Electrical conductivity [CHIM]Chemical Sciences Electrical and Electronic Engineering 0210 nano-technology Ternary operation business Electrical impedance |
Zdroj: | Physica B: Condensed Matter Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2016, 500, pp.161-164 Physica B: Condensed Matter, 2016, 500, pp.161-164 |
ISSN: | 0921-4526 1873-2135 |
Popis: | The dynamic electrical conduction in the bulk ternary semiconductor compound Cu2SnS3 is studied for the first time in the high temperature range from 300 °C to 440 °C in the frequency range 1 kHz–1 MHz. New activation energy for conduction mechanism is obtained and its frequency dependence is analyzed. The Cole–Cole representation is almost half circular indicating a single contribution to total electrical conduction through the material. The activation energy for the mean relaxation process, obtained separately from the analysis of imaginary part Z″ of complex impedance Z* and from the equivalent electric circuit, is estimated to be ( 942 ± 74 ) meV . The correlated barrier hopping model is considered to analyze the experimental data. The results are compared with those obtained previously in low temperature range. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |