Nanostructured CuWO4/WO3- films prepared by reactive magnetron sputtering for hydrogen sensing

Autor: Nirmal Kumar, Stanislav Haviar, Jiří Čapek
Rok vydání: 2020
Předmět:
Zdroj: International Journal of Hydrogen Energy. 45:18066-18074
ISSN: 0360-3199
Popis: Dvojvrstvy o vysoké čistotě obsahující wolframit mědi (CuWO4) a sub-stechiometrický oxid wolframu (WO3-x) byly připraveny reaktivním naprašováním pomocí originálního dvoukrokového procesu. Jako první byla připravena tenká vrstva oxidu wolframu (DC magnetron, Ar + O2 jako pracovní plyn, kovový W terč). Na tuto vrstvu byla přidána vrstva nesouvislého wolframitu mědi pomocí RF reaktivní depozice z Cu terče. Wolframit na povrchu tvoří větvené ostrůvky. Jejich množství a vzhled se liší podle množství přidané mědi. Byly zkoumány dvojvrstvy s různými tloušťkami vrstev jako konduktometrické senzory vodíku. Nejlepší odezva byla naměřena pro vrstvy s poměrem tlouštěk 5 nm/20 nm. Odezva byla více než osmkrát lepší v porovnání s dvacetinanometrovou vrstvou referenčního WO3-x. Článek obsahuje návrh vysvětlení této změny založený na formování nanometrových n-n heterogenních přechodů. Detailní studie SEM snímků dokumentuje morfologii ostrůvků woframitu. High-purity films consisting of copper tungstate (CuWO4) and sub-stoichiometric tungsten oxide (WO3-x) were prepared by reactive sputter deposition. An original two-step deposition process was applied for their synthesis. First, a tungsten oxide thin film was deposited by dc magnetron sputtering from a W target in an Ar + O2 gas mixture, afterward, rf sputtering of a Cu target in an Ar + O2 gas mixture was employed to form a discontinuous CuWO4 layer at the top. This results in a formation of nanostructured branched islands of the tungstate. Bilayers with various layer thicknesses were investigated for the sensitivity to hydrogen gas as a conductometric sensor. The sensitivity changes remarkably with the thicknesses of individual layers. The maximum sensitivity was observed for the films with a layer thickness ratio of 5 nm/20 nm. The response was enhanced more than eight times compared to a 20 nm-thick tungsten oxide alone film. An explanation based on the formation of nano-sized n-n junctions is provided. In addition, a microscopy study of the bilayer growth is presented in detail.
Databáze: OpenAIRE