Epitaxial growth of CIGSe layers on GaP/Si(001) pseudo-substrate for tandem CIGSe/Si solar cells

Autor: Polyxeni Tsoulka, Eugène Bertin, Eric Gautron, Daniel Lincot, Nicolas Barreau, Antoine Létoublon, Olivier Durand, Charles Cornet
Přispěvatelé: Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Solar Energy Materials and Solar Cells
Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, 2021, 233, pp.111385. ⟨10.1016/j.solmat.2021.111385⟩
Solar Energy Materials and Solar Cells, 2021, 233, pp.111385. ⟨10.1016/j.solmat.2021.111385⟩
ISSN: 0927-0248
Popis: International audience; In this study, the epitaxial growth of co-evaporated Cu(In,Ga)Se2 films (CIGSe) onto GaP/Si(001) pseudo-substrates, where the GaP thin layer is epitaxially grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), is investigated. Extensive structural characterisation of epi-CIGSe is carried out via X-ray diffraction as well as transmission electron microscopy. Sturdy evidence of an epitaxial growth of CIGSe on (GaP/Si)(001) is observed, with the propagation of twins originating from the GaP/Si interface, through the CIGSe/GaP interface. This work aims at paving the way for future CIGSe/GaP/Si structures for the development of tandem solar cells with a c-Si bottom cell, and a GaP interfacial buffer layer for band edge engineering, allowing for the monolithic epitaxial growth of high quality CIGSe as a thin film top cell absorber.
Databáze: OpenAIRE
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