Dielectric and modulus analysis of the photoabsorber Cu2SnS3

Autor: B. Viallet, S. Cayez, M. Belaqziz, K. Djessas, Lahcen Essaleh, A. Alimoussa, S. Lahlali, J.L. Gauffier, H. Chehouani
Přispěvatelé: Laboratory of Processes, Metrology, Materials for Energy and Environment (LP2M2E), Université Cadi Ayyad [Marrakech] (UCA), Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures, Procédés, Matériaux et Energie Solaire (PROMES), Université de Perpignan Via Domitia (UPVD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Physica B: Condensed Matter
Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2017, 526, pp.54-58
Physica B: Condensed Matter, 2017, 526, pp.54-58
ISSN: 0921-4526
1873-2135
Popis: Dielectric properties of the ternary semiconductor compound Cu 2 SnS 3 is studied for the first time in the high temperature range from 300 °C to 440 °C with the frequency range 1 kHz to 1 MHz. The dielectric constant e ′ and dielectric loss tan ( δ ) were observed to increase with temperature and decrease rapidly with frequency to remains constant at high frequencies. The variation of the dielectric loss Ln ( e " ) with L n ( ω ) was found to follow the empirical law, e " = B ω m ( T ) . The dielectric data were analyzed using complex electrical modulus M * at various temperatures. The activation energy responsible for the relaxation is estimated from the analysis of the modulus spectra. The value of the hopping barrier potential is estimated from the dielectric loss and compared with the value previously obtained from ac-conductivity. These results are critical for understanding the behavior of based polycrystalline family of Cu 2 SnS 3 for absorber materials in solar-cells.
Databáze: OpenAIRE
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