Evaluation of Interface Trap Density in Advanced SOI MOSFETs

Autor: Matteo Valenza, Sungjae Chang, Sorin Cristoloveanu, Maryline Bawedin, Jong-Hyun Lee, Frédéric Martinez
Přispěvatelé: Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique (M@CSEE), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Rok vydání: 2011
Předmět:
Zdroj: 219th ECS Meeting
219th ECS Meeting, 2011, Montreal, Canada. pp.103-108, ⟨10.1149/1.3570783⟩
ISSN: 1938-6737
1938-5862
Popis: The density of traps at the top interface is difficult to assess in advanced SOI MOSFETs with high-K dielectric and ultrathin film. Searching for a characterization strategy, we compare various approaches: front-channel subthreshold slope, back-channel slope, and coupling coefficient between the front and back channels. The back-channel slope shows the largest variation with the front trap density. However, the resolution may not be sufficient for MOSFETs with very thin buried oxide.
Databáze: OpenAIRE