Development of InGaAsP/InP double-heterostrucuture semiconductor laser with distributed feedback

Autor: João Hermes Clerici
Přispěvatelé: Moschim, Edson, 1953-2017, Patel, Navin Bhailalbhai, 1942, Abbade, Marcelo Luís Francisco, Barbosa, Felipe Rudge, Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Jazyk: portugalština
Rok vydání: 2009
Předmět:
Zdroj: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Popis: Orientadores: Edson Moschim, Navin Bhailalbhai Patel Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Resumo: O desenvolvimento de um laser de semicondutor envolve várias etapas, e cada uma delas requer conhecimentos e técnicas específicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver as várias técnicas necessárias para o projeto, fabricação e caracterização de um laser de semicondutor monomodo, com realimentação distribuída, operando em 1.5 µm (3ª. geração dos sistemas de comunicações ópticas). Foram desenvolvidas todas as etapas do processo: modelamento e definição dos parâmetros do dispositivo; crescimento epitaxial das camadas que formam a estrutura; montagem do arranjo óptico e fabricação da grade holográfica; caracterização elétrica e óptica dos dispositivos. O espectro de emissão dos dispositivos fabricados apresentaram uma forte atenuação dos modos laterais, produzindo uma diferença de aproximadamente 17dB entre o modo fundamental e os laterais. Foi dada uma maior ênfase ao domínio do procedimento de projeto e ao desenvolvimento das técnicas de fabricação, deixando a otimização do dispositivo para uma etapa futura. Foram produzidas grades holográficas de excelente qualidade e desenvolvido o processo de crescimento de camadas epitaxiais para a fabricação de lasers monomodo dinâmico, que poderão servir de base para outros projetos Abstract: The development of a semiconductor laser involves several steps, and each requires specific knowledge and techniques. The main objective of this work was to develop several techniques for the design, fabrication and characterization of a single mode semiconductor laser with distributed feedback, operating at 1.5 µm (optical source for 3rd. generation of optical communications systems). We have developed all necessary steps to achieve this goal: modeling and parameter definitions for the device, epitaxial growth of layers that form the structure, optical setup assembly and manufacture of the optical holographic grating, optical and electrical characterization of the devices. The emission spectrum of the fabricated devices showed a strong attenuation of the lateral modes, producing a difference of about 17dB between the fundamental and lateral modes. Greater emphasis was given to the process design and development of manufacturing techniques. Device optimization is the subject of future studies, since it was not carried out in this work. Holographic gratings of excellent quality were produced and the growth process of epitaxial layers was developed for the fabrication of dynamic single mode lasers, which can serve as a basis for other projects Mestrado Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica Mestre em Engenharia Elétrica
Databáze: OpenAIRE
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