Laser-Stimulated Enhancement of the Reflectance of Single-Crystalline n-GaAs(100)
| Autor: | P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, S.M. Levytskyi |
|---|---|
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 11 (2017); 953 Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 953 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| Popis: | The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported. The experiment revealed a growth in the reflectance of the examined crystals after their laser treatment. This integral effect is explained as a result of the difference between the optical characteristics (the complex refractive index) in the near-surface layer and in the bulk of the irradiated material. У данiй роботi представленi результати оптичних дослiджень спектрiв вiдбиття монокристалiв n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом· см (при кiмнатнiй температурi) в дiапазонi 0,2–1,7 мкм до та пiсля лазерного опромiнення в iнтервалi енергiй 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збiльшення вiдбиваючої здатностi дослiджуваних кристалiв при данiй лазернiй обробцi. Даний iнтегральний ефект пояснено вiдмiнностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матерiалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару ˜ns = ns + ixs вiдрiзняється вiд комплексного показника заломлення об’єму матерiалу ˜nv = nv + ixv). |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|