Localized vibrational modes in semiconductors: Infrared absorption
Autor: | W. G. Spitzer |
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Rok vydání: | 2007 |
Předmět: | |
Zdroj: | Advances in Solid State Physics ISBN: 9783528080174 Münster, 22.–26. März 1971 ISBN: 9783112592045 |
DOI: | 10.1007/bfb0107681 |
Popis: | Die folgende Arbeit enthalt einen Uberblick uber die theoretischen und experimentellen Voraussetzungen fur die Beobachtung hochfrequenter, lokalisierter Schwingungsmoden von Storstellen in einem Kristallgitter. Die Diskussion ist beschrankt und die Infrarot-Absorption in Halbleitersystemen, und fur das Beispiel GaAs:Si wird ein Uberblick uber die experimentellen Ergebnisse gegeben. Die Messungen liefern Informationen uber vier verschiedene Punktdefekte und ihre Symmetrien. Es ergibt sich ein direkter Nachweis fur “ion-pairing” und “impurity site transfer”. Das Verfahren wird angewendet, um den Einflus anderer Fremdatome auf die Verteilung der Si-Atome auf die Gitterplatze zu studieren und um die Verteilung der Si-Atome in GaAs, das aus einer Ga-Losung gewonnen wurde, zu untersuchen. Andere experimentelle Ergebnisse betreffen neuere Beobachtungen der Absorption durch die lokalisierte Schwingungsmode von Si in GeSi-Legierungen mit Ge-Uberschus, Messungen der Storstellen-Segregations-Koeffizienten in verschiedenen Fallen mit lokalen Moden und die Beobachtung der lokalen Mode des Phosphors fur ionen-implantiertes Phosphor in GaAs. |
Databáze: | OpenAIRE |
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