Impact of Nitrogen on the Crystallization and Microstructure of Ge‐Rich GeSbTe Alloys
Autor: | Nicolas Ratel Ramond, Eloïse Rahier, Alain Claverie, Daniel Benoit, Minh Anh Luong, Béatrice Pécassou, Yannick Le Friec, Dingfang Wen |
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Přispěvatelé: | Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) |
Rok vydání: | 2020 |
Předmět: |
010302 applied physics
Materials science chemistry.chemical_element 02 engineering and technology GeSbTe 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Microstructure 01 natural sciences Nitrogen law.invention Condensed Matter::Materials Science chemistry.chemical_compound chemistry Chemical engineering law 0103 physical sciences [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] General Materials Science [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Crystallization 0210 nano-technology |
Zdroj: | physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters, In press, pp.2000443. ⟨10.1002/pssr.202000443⟩ physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, In press, pp.2000443. ⟨10.1002/pssr.202000443⟩ |
ISSN: | 1862-6270 1862-6254 |
Popis: | International audience; The influence of N concentration on the crystallization kinetics, microstructural evolution, and composition of Ge‐rich GeSbTe (GGST) alloys during thermal annealing, using X‐ray diffraction and scanning and transmission electron microscopy is reported. It is shown that the incorporation of N in GGST tends to slow down the phase separation, crystallization, and growth processes during annealing. This can be attributed to the reduced diffusivity of Ge, which interacts and quickly bonds with N. Technological advantages of N doping are also discussed, considering the increased stability of the amorphous phase with respect to its parent crystalline phase, finer microstructure, flatness of the GeSbTe (GST) films after crystallization, and disappearance of the low‐resistivity hexagonal phase at high temperature. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |