New Metallization Scheme for Interdigitated back Contact Silicon Heterojunction Solar Cells
| Autor: | Thomas Blévin, Delfina Muñoz, Mustapha Lemiti, Thibaut Desrues, Florent Souche, P.J. Ribeyron, Sylvain De Vecchi |
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| Přispěvatelé: | INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN), Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département des Technologies Solaires (DTS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de L'Energie Solaire (INES), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Předmět: |
010302 applied physics
Materials science Equivalent series resistance heterojunction Busbar business.industry Contact geometry Heterojunction 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences 7. Clean energy metallization Back surface field Energy(all) Back contact 0103 physical sciences Silicon heterojunction Optoelectronics [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics 0210 nano-technology business Short circuit ComputingMilieux_MISCELLANEOUS Common emitter |
| Zdroj: | HAL Energy Procedia Energy Procedia, Elsevier, 2013, 38, pp.701-706 Energy Procedia, 2013, 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV) March Hamelin, 38, pp.701-706. ⟨10.1016/j.egypro.2013.07.335⟩ |
| ISSN: | 1876-6102 |
| Popis: | International audience; This study reports on a new contact scheme for Silicon Heterojunction (Si-HJ) solar cells having Interdigitated Back Contacts (IBC). This new geometry with two metallization levels is used to avoid any electrical shading above the emitter and Back Surface Field (BSF) busbars. IBC Si-HJ solar cells with bi-level metallization are here compared experimentally to standard devices having a single-level contact scheme. Relative increases of 2% in Fill Factor (FF) and 8% in short circuit current density (Jsc) have been obtained with this optimized contact geometry on medium area solar cells (5x5cm(2)). Moreover, this technology can be used to increase the number of busbars on large area solar cells and therefore reduce series resistance effects. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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