Transport mechanism and trap distribution in ITO/azo-calix[4]arene derivative/Al diode structure

Autor: A. Rouis, H. Ben Ouada, Cherif Dridi, I. Dumazet-Bonnamour, Joel Davenas
Přispěvatelé: Laboratoire de Physique et Chimie des Interfaces [Monastir] (LPCI), Faculté des Sciences de Monastir (FSM), Université de Monastir - University of Monastir (UM)-Université de Monastir - University of Monastir (UM), Laboratoire d'Application de la Chimie à l'Environnement (LACE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, Ingénierie des Matériaux Polymères - Laboratoire des Matériaux Polymères et des Biomatériaux (IMP-LMPB), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut Supérieur des Sciences Appliquées et de Technologie de Sousse (ISSATS), Université de Sousse, Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lesur, Hélène
Rok vydání: 2007
Předmět:
Zdroj: Physica B: Condensed Matter
Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2007, 399 (2), pp.109-115
ISSN: 0921-4526
DOI: 10.1016/j.physb.2007.05.031
Popis: International audience; Electrical measurements have been performed on spin-coated azo-calix[4]arene derivative on pre-cleaned indium thin oxide (ITO) substrates using current versus voltage, capacitance versus voltage and impedance spectroscopy measurements. The nature of trap states in single layer ITO/azo-calix[4]arene derivative/Al organic diodes has also been investigated. The energy band gap of the thin film containing calixarene derivative has been measured by UV-Vis absorption spectroscopy and is about 2.77 eV. The current-voltage characteristics have shown ohmic behavior at low voltages. At high applied bias the I-V characteristics can be successfully modeled by space-charge limited current (SCLC) theory. The impedance dependence of bias and frequency is discussed in terms of the presence of a depletion layer in the bulk. The device is accurately modeled, in a range of frequency between 100 Hz and 1 MHz, as a single parallel resistor and capacitor network placed in series with a resistance. Their values deduced from fitting experimental data to the model have given a dielectric relaxation time in the ms range and an exponential trap distribution.
Databáze: OpenAIRE