Molecular-beam study of sticking of oxygen on Si(100)

Autor:	Hiroyuki S. Kato, T. Suzaki, Akira Namiki, S. Soeki, Hideto Kamba, T. Miyake, Tetsuro Nakamura
Rok vydání:	1990
Předmět:	Electron transfer Materials science chemistry Physisorption Silicon Chemisorption Semiconductor materials Physical chemistry chemistry.chemical_element Oxygen Molecular beam
Zdroj:	Physical Review B. 42:11801-11807
ISSN:	1095-3795 0163-1829
DOI:	10.1103/physrevb.42.11801
Popis:	La probabilite d'adhesion initiale S 0 est mesuree par spectroscopie d'electrons Auger en fonction de la temperature de surface T s pour differentes energies incidentes E i . Pour E i =0,09 eV, ou le processus de piegeage-desorption domine, S 0 decroit avec l'augmentation de T s . Ceci indique que l'adhesion est principalement un processus relaye par une physisorption
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::674a020316db832aad473a7a3a0abe0c https://doi.org/10.1103/physrevb.42.11801 Zobrazit plný text záznamu