Nano Silicon Carbide’s Stacking Faults, Deep Level’s and Grain Boundary’s Defects
| Autor: | G. S. Svechnikov, G. N. Mishinova, V. V. Lytvynenko, V. I. Vlaskin, H P Corp. Techno ro, Yongsan-dong , Daejeon, Korea, S. I. Vlaskina, V. E. Rodionov |
|---|---|
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Radiation Materials science Deep level stacking fault Stacking 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics 01 natural sciences Carbide silicon carbide photoluminescence spectra 0103 physical sciences карбід кремнію дефект упаковки спектр фотолюмінесценції General Materials Science Grain boundary політип Composite material polytype 0210 nano-technology Nano silicon |
| Zdroj: | Journal of Nano- and Electronic Physics. 10:05021-1 |
| ISSN: | 2306-4277 2077-6772 |
| DOI: | 10.21272/jnep.10(5).05021 |
| Popis: | У роботі аналізуються фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають при вирощуванні. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектру відображають закономірності політичної структури SiC .Аналіз спектру нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і ганиць зерен в фотолюмінесцентному спектрі дає можливість контролювати процеси фазових перетворень при вирощуванні кристалів та плівок а також при проведенні технологічних операцій. Більш того, це також дає можливість в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь в фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 ангстрем (або 1,075 меВ). In this work, photoluminescence spectra of SiC crystals with ingrown original defects are analised It was shown that stalking fault and deep level luminescence spectra reflect the fundamental logic of the SiC polytype structure.The analysis of the zero- phonon spectra of the stalking fault, deep level, and grain boundary parts of the photoluminescence spectra makes it possible to control the processes of phase transformations within the growth process of crystals and films, as well as during the technological operations. Moreover, it makes it possible in nanostructures of silicon carbide. to determine the position or displacement of atoms participating in the photoluminescence with an accuracy of 0.0787 Angstrom (or 1.075 meV). |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|