Application des méthodes de fonction de Green aux défauts dans les semiconducteurs

Autor: J.N. Decarpigny
Rok vydání: 1980
Předmět:
Zdroj: Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1980, 15 (3), pp.661-669. ⟨10.1051/rphysap:01980001503066100⟩
ISSN: 0035-1687
2777-3671
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503066100
Popis: Parmi les objectifs de l'étude théorique d'un centre profond dans un semiconducteur, la détermination de sa structure électronique et de la reconstruction du réseau cristallin à son voisinage a fait l'objet de multiples approches. Nous nous proposons de décrire celles qui utilisent les méthodes de fonction de Green. Après un rappel des propriétés essentielles de ces fonctions, leur application formelle à la recherche et à la description des états localisés et des résonances est étudiée. La technique est illustrée par le cas de la lacune neutre non relaxée, traitée dans une approximation de liaisons fortes simplifiée, puis par les résultats les plus récents qui permettent notamment la détermination self-consistente du potentiel perturbateur. Ensuite, deux approches voisines de la technique des fonctions de Green sont développées : la méthode des fractions continuées et celle des moments, qui n'utilisent plus les propriétés liées au caractère périodique du cristal parfait, s'apparentant plus aux techniques de clusters. Enfin les diverses approches sont comparées en essayant de dégager les avantages et inconvénients respectifs.
Databáze: OpenAIRE