Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate

Autor: Hervé Folliot, N. Chevalier, Christophe Labbé, S. Salman, Antoine Létoublon, C. Paranthoen, J. Le Pouliquen, Nicolas Bertru, Tony Rohel, A. Le Corre
Přispěvatelé: Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Région Bretagne ARED, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2012
Předmět:
Materials science
02 engineering and technology
Substrate (electronics)
InAs quantum dots
01 natural sciences
Thermal conductivity
0103 physical sciences
Thermoelectric effect
InP substrate
General Materials Science
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
010302 applied physics
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
business.industry
Mechanical Engineering
Doping
Thermoelectricity
Atmospheric temperature range
021001 nanoscience & nanotechnology
Condensed Matter Physics
Mechanics of Materials
Quantum dot
X-ray crystallography
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Optoelectronics
0210 nano-technology
business
Layer (electronics)
Zdroj: Materials Science and Engineering: B
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2012, 177 (11), pp.882-886. ⟨10.1016/j.mseb.2012.03.053⟩
Materials Science and Engineering: B, 2012, 177 (11), pp.882-886. ⟨10.1016/j.mseb.2012.03.053⟩
ISSN: 0921-5107
DOI: 10.1016/j.mseb.2012.03.053⟩
Popis: International audience; The growth and thermal conductivity of InAs quantum dot (QD) stacks embedded in GaInAs matrix with AlAs compensating layers deposited on (1 1 3)B InP substrate are presented. The effect of the strain compensating AlAs layer is demonstrated through Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray diffraction structural analysis. The thermal conductivity (2.7 W/m K at 300 K) measured by the 3ω method reveals to be clearly reduced in comparison with a bulk InGaAs layer (5 W/m K). In addition, the thermal conductivity measurements of S doped InP substrates and the SiN insulating layer used in the 3ω method in the 20-200 °C range are also presented. An empirical law is proposed for the S doped InP substrate, which slightly differs from previously presented results.
Databáze: OpenAIRE
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