Physical origin of the gate current surge during short-circuit operation of SiC MOSFET
| Autor: | David Trémouilles, François Boige, Frédéric Richardeau |
|---|---|
| Přispěvatelé: | LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Convertisseurs Statiques (LAPLACE-CS), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT (FRANCE), Université Toulouse III - Paul Sabatier - UT3 (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - Toulouse INP (FRANCE) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: |
Energie électrique
Materials science 4H-SiC MOSFET Gate dielectric Semiconductor device modeling Short-circuit 01 natural sciences Gate oxide 0103 physical sciences MOSFET gate oxide SiC MOSFET Electrical and Electronic Engineering Power MOSFET [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics 010302 applied physics business.industry [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power Schottky diode Electronic Optical and Magnetic Materials Logic gate Optoelectronics business Short circuit Fowler-Nordheim Schottky emission |
| Zdroj: | IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 40 (5), pp.666-669. ⟨10.1109/led.2019.2896939⟩ IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 40 (5), pp.666-669. ⟨10.1109/LED.2019.2896939⟩ IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (5), pp.666-669. ⟨10.1109/led.2019.2896939⟩ |
| ISSN: | 0741-3106 |
| DOI: | 10.1109/led.2019.2896939⟩ |
| Popis: | International audience; During the short circuit of a vertical 4H-SiCpower MOSFET, a high gate current starts to flow throughthe gate dielectric. We demonstrate that the Schottky emis-sion is the main physical mechanisms. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|