Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї
| Autor: | R. I. Didyk, M. O. Kushlyk, B.Y. Kulyk, Y.A. Shykorjak, B. Pavlyk, D. P. Slobodzyan |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
Surface (mathematics)
crystal lattice Materials science хмарина Котрелла epitaxial growth одновiсна пружна деформацiя General Physics and Astronomy епiтаксiальне напилювання heterostructure Cottrell atmosphere гетероструктура uniaxial elastic strain кристалiчна ґратка gettering гетерування Composite material |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 8 (2013); 742 Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 742 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe58.08 |
| Popis: | The deposition of Al film onto the (111) surface of a p-Si crystal was shown to induce a deformation in the near-surface layer of the latter. Provided that the crystal strain is elastic and uniaxial, the gettering of defects in the near-surface layer is observed, which is confirmed by a change in the dependence of the specimen resistance on the elastic strain magnitude. The maximum depth of the defect capture has been calculated on the basis of the energy of interaction between the deformed layer and dislocations. Показано, що осаджена плiвка Al на поверхню (111) кристала Si(p) формує деформацiйне поле в приповерхневому шарi. За одновiсної пружної деформацiї кристала спостерiгається гетерування дефектiв з об’єму зразка у приповерхневому шарi пiд напиленою плiвкою. Отримана залежнiсть змiни величини опору цих зразкiв вiд величини пружної деформацiї пiдтверджує гетерування електрично активних дефектiв у приповерхневому деформованому шарi. Проведено теоретичнi розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектiв на основi енергiї взаємодiї деформованого шару та дислокацiй. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|