Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode

Autor: Alexis Divay, Cédric Duperrier, Farid Temcamani, Olivier Latry
Přispěvatelé: Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), ASTRE [Cergy-Pontoise], Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire QUARTZ (QUARTZ ), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-SUPMECA - Institut supérieur de mécanique de Paris-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Ecole Internationale des Sciences du Traitement de l'Information (EISTI), Duperrier, Cédric, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-SUPMECA - Institut supérieur de mécanique de Paris (SUPMECA)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Ecole Internationale des Sciences du Traitement de l'Information (EISTI), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-SUPMECA - Institut supérieur de mécanique de Paris (SUPMECA)-Ecole Internationale des Sciences du Traitement de l'Information (EISTI)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2016
Předmět:
Materials science
Transconductance
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Algan gan
02 engineering and technology
High-electron-mobility transistor
01 natural sciences
Trap (computing)
Reliability (semiconductor)
0103 physical sciences
Electrical and Electronic Engineering
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Safety
Risk
Reliability and Quality
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Hot-carrier injection
010302 applied physics
business.industry
Electrical engineering
High voltage
021001 nanoscience & nanotechnology
Condensed Matter Physics
Atomic and Molecular Physics
and Optics
Surfaces
Coatings and Films
Electronic
Optical and Magnetic Materials
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Optoelectronics
0210 nano-technology
business
Voltage
Zdroj: ESREF 2016
ESREF 2016, Sep 2016, Saale, Germany
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2016, 64, pp.585-588. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.123⟩
Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.585-588. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.123⟩
ISSN: 0026-2714
DOI: 10.1016/j.microrel.2016.07.123⟩
Popis: The reliability of RF AlGaN/GaN HEMT devices on SiC substrate is investigated here in pulsed RF condition at nominal and maximum rating drain quiescent bias. During these 3500 hour tests, high voltage especially during the RF pulse leads to a progressive decrease in gm and IDSS while trap concentration increases. These evolutions may be attributed to trap generation by hot carrier injection and highlight the importance of drain quiescent voltage as an important acceleration factor for this technology's reliability in pulsed RF conditions.
Databáze: OpenAIRE
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