DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC

Autor: BOTNARIUC, Vasile, GORCEAC, Leonid, COVAL, Andrei, VATAVU, Sergiu, CINIC, Boris, ROTARU, Corneliu, RAEVSCHI, Simion
Jazyk: Romanian; Moldavian; Moldovan
Rok vydání: 2021
Předmět:
DOI: 10.5281/zenodo.5094770
Popis: Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p°-p+InP cu suprafața foto­activă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p°- p+InP (1 cm2) constituie 12% și, respectiv, 7,3% în condiții de ilumi­nare stan­dard, AM1 (1000 W×m-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p°- p+InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p°-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Foto­sen­si­bilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p°- p+InP cu strat epita­xial intermediar (p° = 6,5×1016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în inter­valul VIS.
Databáze: OpenAIRE