New figures of merit qualifying devices and amplifiers, operating in switched mode

Autor: Ajib Bahi, Antoine Diet, Genevieve Baudoin, Martine Villegas
Přispěvatelé: Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), DRE - Département de Recherche en Electromagnétisme, EMG - Département Electromagnétisme - L2S, Laboratoire des signaux et systèmes (L2S), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-SUPELEC-Campus Gif, Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2011
Předmět:
Zdroj: Proceedings of IEEE Wireless and Microwaves Conference
WAMICON 2011
WAMICON 2011, Apr 2011, Clearwater, United States
Popis: International audience; In the context of mobile communication and connectivity system evolution, new transmitter architectures should be studied in order to design nomadic multiradio low consumption transceiver. In term of efficiency, the most important element is the amplifier. In order to obtain high efficiency performance, it is possible to use several architectures associated with switched amplifier. In this paper, we propose different figures of merit established from DC characteristics of a device used in switched mode. We confirmed the validity of this methodology by designing several class E amplifiers using P-HEMT depletion transistor. And, we propose a representation of the device potential by using the performance factor.
Databáze: OpenAIRE