Vibrational properties of 2H-PbI2 semiconductors studied via Density Functional Theory calculations
Autor: | Yi Wei, Faical Raouafi, Claudine Katan, Emmanuelle Deleporte, Jacky Even, Laurent Pedesseau, Jean-Marc Jancu |
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Přispěvatelé: | Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire de Physico-chimie des Matériaux Polymères (LPMP), Institut préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire de Photonique Quantique et Moléculaire (LPQM), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2013 |
Předmět: |
Phonon
Neutron diffraction 02 engineering and technology Neutron scattering 01 natural sciences Molecular physics DFT Vibrational properties symbols.namesake Condensed Matter::Materials Science 0103 physical sciences Materials Chemistry 010306 general physics [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics] Chemistry Scattering Metals and Alloys Surfaces and Interfaces Semiconductor 021001 nanoscience & nanotechnology Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Brillouin zone [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry symbols [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic Density functional theory 0210 nano-technology Raman spectroscopy Raman scattering |
Zdroj: | Thin Solid Films Thin Solid Films, Elsevier, 2013, Current Trends in Optical and X-Ray Metrology of Advanced Materials for Nanoscale Devices III, 541, pp.9-11. ⟨10.1016/j.tsf.2012.10.129⟩ European Materials Research Society Spring Meeting 2012 (E-MRS Spring 2012) European Materials Research Society Spring Meeting 2012 (E-MRS Spring 2012), May 2012, Strasbourg, France. pp.9-11, ⟨10.1016/j.tsf.2012.10.129⟩ Thin Solid Films, 2013, Current Trends in Optical and X-Ray Metrology of Advanced Materials for Nanoscale Devices III, 541, pp.9-11. ⟨10.1016/j.tsf.2012.10.129⟩ |
ISSN: | 0040-6090 |
DOI: | 10.1016/j.tsf.2012.10.129⟩ |
Popis: | International audience; Density Functional Theory is used to study the vibrational properties of 2H-PbI2 semiconductor. The Born charge tensors are determined. Calculated phonon frequencies at the Brillouin zone center are compared to Raman scattering and IR absorption measurements. The computed Raman spectra show a good agreement with available experimental data. The simulated phonon dispersion curves are compared with triple-axis neutron scattering measurements. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |