GaN MMIC Differential Multi-function Chip for Ka-Band Applications

Autor: Jean-Guy Tartarin, Remy Leblanc, Hassan Maher, Francois Boone, Christophe Viallon, Boris Berthelot
Přispěvatelé: Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (LAAS-MOST), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), OMMIC SAS, Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2), Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke [Sherbrooke], Research and Development, OMMIC (OMMIC), OMMIC, Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2019
Předmět:
Computer science
quadrature amplitude modulation (QAM)
attenuator
02 engineering and technology
Phase shifters
7. Clean energy
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Bandwidth
Linearity
0202 electrical engineering
electronic engineering
information engineering
Electronic engineering
Frequency modulation
Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS
Microelectronics
Ka band
Digital control
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Monolithic microwave integrated circuit
business.industry
Amplifier
020208 electrical & electronic engineering
Bandwidth (signal processing)
Attenuation
020206 networking & telecommunications
Chip
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Ka-band
Gallium Nitride
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism
MMIC phase shifter
Transceiver
business
Zdroj: 2019 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium-IMS 2019
2019 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium-IMS 2019, Jun 2019, Boston, United States. pp.1399-1402, ⟨10.1109/MWSYM.2019.8701085⟩
IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2019)
IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2019), Jun 2019, Boston, United States. pp.1399-1402, ⟨10.1109/MWSYM.2019.8701085⟩
DOI: 10.1109/MWSYM.2019.8701085⟩
Popis: International audience; High data rate communications have become possible due to improvements in microelectronics, and is based on new topological concepts of architecture. The development of 5G networks using the Ka-band is one of the challenges for new telecommunication systems based on individually controlled active antennas (AESE). The control system is usually developed using silicon processes but this approach does not allow a fully embedded transceiver as the front-end module must be connected to the core-chip module and to its digital control interface. With the GaN power technologies providing high PAE, an interesting issue consists in designing a fully integrated GaN MMIC multi-function chip for highly integrated systems. This work presents, for the first time, a GaN attenuator-phase shifter covering a wide range of frequencies from 30 GHz to 40 GHz. Moreover, this circuit is a balanced version of the attenuator-phase shifter to target an improved linearity and to take full advantage of GaN power amplifiers.
Databáze: OpenAIRE
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