Characterization and modeling of hot carrier injection in LDMOS for L-band radar application

Autor: Jean Pierre Sipma, Karine Mourgues, Loïc Lachèze, Philippe Eudeline, Pascal Dherbécourt, Olivier Latry, Viswas Purohit, Hichame Maanane, F. Cornu
Přispěvatelé: Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2011
Předmět:
LDMOS
Materials science
Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY
02 engineering and technology
01 natural sciences
law.invention
[SPI]Engineering Sciences [physics]
law
0103 physical sciences
Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS
0202 electrical engineering
electronic engineering
information engineering
Electronic engineering
Figure of merit
Electrical and Electronic Engineering
Safety
Risk
Reliability and Quality
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Hot-carrier injection
010302 applied physics
Equivalent series resistance
business.industry
Transistor
High voltage
Condensed Matter Physics
Atomic and Molecular Physics
and Optics
020202 computer hardware & architecture
Surfaces
Coatings and Films
Electronic
Optical and Magnetic Materials
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Optoelectronics
business
Microwave
Voltage
Zdroj: Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2011, 51 (8), pp.1289-1294. ⟨10.1016/j.microrel.2011.03.040⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (8), pp.1289-1294. ⟨10.1016/j.microrel.2011.03.040⟩
ISSN: 0026-2714
DOI: 10.1016/j.microrel.2011.03.040⟩
Popis: This paper reports a methodology to correlate Hot Carrier Injection (HCI) degradation mechanism and electrical figures of merit on Lateral-Diffused Metal–Oxide-Semiconductor (LDMOS) transistor. This method is based on RF life test in radar operating conditions coupled to a high drain voltage in order to make visible HCI degradation. We propose drain current modeling vs. time based on a simple extraction procedure. The electron density trapped in the oxide is extracted from hot carrier induced series resistance enhancement model (HISREM – i.e. Δ R d model). From this methodology, the degradation of RF-LDMOS due to HCI is quantified and could be simulated with EDA.
Databáze: OpenAIRE
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