NSP: Physical compact model for stacked-planar and vertical Gate-All-Around MOSFETs
| Autor: | François Triozon, O. Rozeau, R. Coquand, S. Barraud, Joris Lacord, Sebastien Martinie, J.-Ch. Barbe, Yann-Michel Niquet, Claude Tabone, Thierry Poiroux, E. Augendre, O. Faynot, Maud Vinet |
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| Přispěvatelé: | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Partially funded by the French Public Authorities through the NANO 2017, European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Materials science business.industry Semiconductor device modeling Nanowire 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect 01 natural sciences Capacitance Gallium arsenide chemistry.chemical_compound Condensed Matter::Materials Science [SPI]Engineering Sciences [physics] Planar chemistry Quantum dot Logic gate 0103 physical sciences MOSFET Electronic engineering Optoelectronics 0210 nano-technology business |
| Zdroj: | 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2016.7838369⟩ |
| DOI: | 10.1109/IEDM.2016.7838369 |
| Popis: | International audience; In this work, a predictive and physical compact model for NanoWire/NanoSheet (NW/NS) Gate-All-Around (GAA) MOSFET is presented. Based on a novel methodology for the calculation of the surface potential including quantum confinement, this model is able to handle arbitrary NW/NS cross-section shape of stacked-planar and vertical GAA MOSFETs (circular, square, rectangular). This Nanowire Surface Potential (NSP) based model, validated both by numerical simulations and experimental data, is demonstrated to be very accurate in all operation regimes of GAA MOSFETs. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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