Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
| Autor: | Diebold, Sebastian |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Kallfass, I. |
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: |
millimetre-wave
microstrip transmission line coplanar waveguide power amplifier Millimeterwelle Terahertz Verbindungshalbleiter mHEMT FET koplanarer Wellenleiter monolithic integrated III-V semiconductor Leistungsverstärker millimeterwave MMIC 3-5 ddc:620 HEMT Engineering & allied operations Mikrostreifenleitung |
| ISSN: | 1868-4696 |
| Popis: | Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|