Knihovna AV ČR, v. v. i.
Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
English
Čeština
Instituce
Knihovna AV ČR
Souborný katalog AV ČR
Archeologický ústav Brno
Archeologický ústav Praha
Astronomický ústav
Biofyzikální ústav
Botanický ústav
Etnologický ústav
Filosofický ústav
Fyzikální ústav
Fyziologický ústav
Geofyzikální ústav
Geologický ústav
Historický ústav
Masarykův ústav
Matematický ústav
Orientální ústav
Psychologický ústav
Slovanský ústav
Sociologický ústav
Ústav analytické chemie
Ústav anorganické chemie
Ústav pro českou literaturu
Ústav dějin umění
Ústav fyziky atmosféry
Ústav fotoniky a elektroniky
Ústav fyzikální chemie J. H.
Ústav fyziky materiálů
Ústav geoniky
Ústav pro hydrodynamiku
Ústav chemických procesů
Ústav informatiky
Ústav pro jazyk český
Ústav jaderné fyziky
Ústav makromolekulární chemie
Ústav pro soudobé dějiny
Ústav přístrojové techniky
Ústav státu a práva
Ústav struktury a mechaniky hornin
Ústav teoretické a aplikované mechaniky
Ústav teorie informace a automatizace
Ústav výzkumu globální změny
×
Všechna pole
Název
Autor
Hledat
Pokročilé vyhledávání
Zahrnout EIZ
Domovská stránka
The nitrogen-pair oxygen defec...
Jednotky
Navrhnout nákup titulu
The nitrogen-pair oxygen defect in silicon
Autor:
F. Berg Rasmussen
,
S. Öberg
,
R. Jones
,
C. Ewels
,
J. Goss
,
J. Miro
,
P. Deák
Rok vydání:
1996
Zdroj:
Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon ISBN: 9789401066457
Databáze:
OpenAIRE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::338031f834d6e790efe36e789b5fa7d0
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-82413-4.50025-1
Zobrazit plný text záznamu
Jednotky
Popis
Exportovat záznam
Export to RIS
×
načítá se......