Indium local geometry in In-Sb-Te thin films using XANES and DFT calculations
| Autor: | M. Fontana, Bibiana Arcondo, A.M. Mudarra Navarro, V. Bilovol, A.V. Gil Rebaza, Leonardo A. Errico |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: |
Materials science
Ciencias Físicas General Physics and Astronomy chemistry.chemical_element 02 engineering and technology Otras Ciencias Físicas 01 natural sciences DFT PHASE CHANGE MEMORIES 0103 physical sciences IN-SB-TE Thin film 010306 general physics Surfaces and Interfaces General Chemistry 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics XANES Surfaces Coatings and Films Amorphous solid Crystallography chemistry 0210 nano-technology AMORPHOUS FILMS Indium CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS |
| Popis: | In-Sb-Te when is a thin film presents a huge difference in its electrical resistivity when transform from the amorphous (insulating) to the crystalline (conducting) phase. This property made this system one of the main phase-change materials used in the data storage industry. The change in the electrical conductivity is probably associated to a change in the bonding geometry of some of its constituents. To explore this point, we present in this work an study of the bonding geometry of In atoms in In-Sb-Te films by means of In K-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) spectroscopy using synchrotron radiation in both as deposited (amorphous) and crystalline thin films obtained as a result of resistance (R) vs temperature (T) measurements. Comparison of the XANES spectra obtained for ternary amorphous films and binary crystalline reference films suggests that in amorphous films the bonding geometry of In atoms is tetrahedral-like. After the thermal annealing has been carried out the differences in the XANES spectra of the as deposited and the annealed films indicate that the bonding geometry of In atoms changes. Based on X-ray diffraction results and ab initio calculations in the framework of the Density Functional Theory (DFT) we show that the new coordination geometry is associated with a tendency of In atoms towards octahedral-like. Fil: Bilovol, Vitaliy. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina Fil: Gil Rebaza, Arles Víctor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina Fil: Mudarra Navarro, Azucena Marisol. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina Fil: Errico, Leonardo Antonio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Física La Plata. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Física La Plata; Argentina Fil: Fontana, Marcelo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina Fil: Arcondo, Bibiana Graciela. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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