Large Ti-doped sapphire bulk crystal for high power laser applications

Autor: G. Alombert-Goget, K. Lebbou, N. Barthalay, H. Legal, G. Chériaux
Přispěvatelé: Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), RSA Le Rubis, Laboratoire d'optique appliquée (LOA), École Nationale Supérieure de Techniques Avancées (ENSTA Paris)-École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École polytechnique (X)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées (ENSTA Paris)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2014
Předmět:
Zdroj: Optical Materials
Optical Materials, Elsevier, 2014, 36, pp.2004-2006. ⟨10.1016/j.optmat.2014.01.011⟩
ISSN: 0925-3467
DOI: 10.1016/j.optmat.2014.01.011⟩
Popis: Large Ti-doped sapphire single crystals have been successfully grown by Kyroupolos technique for optical amplification. Without post growth annealing, the absorption and emission spectra do not show any presence of unwanted impurities. The obtained results indicate the possibilities to get crystals with homogeneous Ti3+ ion concentrations in large sections using this growth technique.
Databáze: OpenAIRE