An ordered Ga2Te3phase in the ZnTe/GaSb interface
| Autor: | DA Ashenford, B. Lunn, CT Chou, M.‐J. Casanove, John L. Hutchison, David Cherns, John W Steeds, Roger Vincent |
|---|---|
| Přispěvatelé: | RainDance Technologies [Billerica, MA, USA], inconnu, Inconnu, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) |
| Rok vydání: | 1993 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Nanostructure Chemistry General Physics and Astronomy Heterojunction 02 engineering and technology Crystal structure engineering.material 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences Crystallography Sphalerite Electron diffraction Lattice (order) 0103 physical sciences [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] engineering Regular array Orthorhombic crystal system 0210 nano-technology ComputingMilieux_MISCELLANEOUS |
| Zdroj: | Journal of Applied Physics Journal of Applied Physics, 1993, 74 (11), pp.6566-6570. ⟨10.1063/1.355118⟩ Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 1993, 74 (11), pp.6566-6570. ⟨10.1063/1.355118⟩ |
| ISSN: | 1089-7550 0021-8979 |
| DOI: | 10.1063/1.355118 |
| Popis: | A Ga2Te3 interfacial phase has been observed in a ZnTe/(001)GaSb heterostructure by high resolution electron microscopy under special imaging conditions. This phase exists in domains 5–10 nm in size on the ZnTe side of, and usually 2–4 nm away from, the interface. A structural model has been proposed for this phase that is derived from the sphalerite cell with cation sites occupied either fully (occupancy 1) or partially (occupancy 5/9) by Ga atoms. The fully occupied Ga sites form a regular array of uninterrupted chains along the [110] direction of the sphalerite unit cell. The partially occupied Ga sites can also be considered as forming chains containing both Ga atoms and vacancies along the [110] direction. Within these chains vacancies are highly mobile, resulting in an average Ga occupancy of 5/9. The unit cell of Ga2Te3 is orthorhombic with the space group Amm2. The lattice parameters of the unit cell have been derived from electron diffraction data. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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