Experimental comparison of programming mechanisms in 1T-DRAM cells with variable channel length
| Autor: | Alexandre Hubert, Maryline Bawedin, Sorin Cristoloveanu, Olivier Faynot, Thomas Ernst, Georges Guegan |
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| Přispěvatelé: | Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Engineering Hardware_MEMORYSTRUCTURES business.industry Transistor Silicon on insulator 020206 networking & telecommunications Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY 02 engineering and technology 01 natural sciences law.invention Reduction (complexity) Impact ionization law Logic gate 0103 physical sciences MOSFET Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering Electronic engineering [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics business Scaling Dram ComputingMilieux_MISCELLANEOUS |
| Zdroj: | Proc. in ESSDERC 2010, (F. Gamiz, A. Godoy eds.), IEEE, ISBN 40th European Solid-State Device Research Conference 40th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2010, Sevilla, Spain |
| Popis: | The bulk DRAM scaling requirements have lead to many different concepts of capacitor-less single-transistor (1T) DRAM. Amongst the various effects used to program the cell, this study is focused on the Impact Ionization (II), the most common mechanism to store charges in the body of the cell, and the Meta-Stable Dip (MSD) effect. Dynamic measurements are presented showing the impact of the gate length reduction on both the II and the MSD programming mechanisms. It is found that MSD is less impacted by the scaling of standard SOI MOSFETs without specific optimization. Those attractive performances result from the dynamic coupling between the front and back gates in Fully Depleted SOI (FDSOI) transistors. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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