A Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AIGaN/GaN HEMTs
| Autor: | Hassan Maher, K. Ahmeda, Brahim Benbakhti, M. Boucherta, Weidong Zhang, Karol Kalna, Ali Soltani, S. J. Duffy, Nour-Eddine Bourzgui |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
Materials science
02 engineering and technology Trapping High-electron-mobility transistor 01 natural sciences Degradation Transient analysis [SPI]Engineering Sciences [physics] 0103 physical sciences 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering ComputingMilieux_MISCELLANEOUS 010302 applied physics HEMTs business.industry Time constant Wide-bandgap semiconductor MODFETs Logic gates 020206 networking & telecommunications Aluminum gallium nitride Electrostatic induction Wide band gap semiconductors Transient current Logic gate Optoelectronics business AND gate |
| Zdroj: | 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩ |
| Popis: | International audience; The source/drain and gate induced charge trapping within an AlGaN/GaN high electron mobility transistor is studied, under normal device operation, by excluding self-heating effects, for the first time. Through direct measurement of current transients of both source and drain terminals, a characterisation technique has been developed to: (i) analyse the transient current degradations from μs to seconds, and (ii) evaluate the drain and gate induced charge trapping mechanisms. Two degradation mechanisms of current are observed: bulk trapping at a short time (1ms). The bulk charge trapping is found to occur during both ON and OFF states of the device when V DS >0V; where its trapping time constant is independent of bias conditions. In addition, the time constant of the slower current degradation is found to be mainly dependent on surface trapping and redistribution, not by the second heat transient. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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