ВЛИЯНИЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si-Ge
| Autor: | A. A. Druzhinin, V. M. Tsmots, N. T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, A. Ya. Karpenko, I. P. Ostrovskyy, Yu. Khoverko, P.G. Litovchenko |
|---|---|
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: |
Materials science
Proton Whiskers whiskers silicon-germanium proton irradiation electroconductivity magnetoresistance Physical chemistry Irradiation ниткоподібні кристали кремній-германій протонне опромінення електропровідність магнітоопір нитевидные кристаллы кремний-германий протонное облучение электропроводность магнитосопротивление |
| Zdroj: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 4 (2010); 5-8 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 4 (2010); 5-8 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 4 (2010); 5-8 |
| ISSN: | 2415-3508 1815-7459 |
| DOI: | 10.18524/1815-7459.2010.4.116161 |
| Popis: | The impact of proton irradiation and high magnetic field on the electroconductivity and magnetoresistance of Si1-xGex (õ = 0,03) whiskers with resistance of ρ = 0,008–0,025 Ohm∙cm in the temperature range of 4,2–300 Ê.is studied. It is fount a decreasing of resistance of the crystals in the temperature range of 4,2–40 Ê upon radiation with low dose of protons and a significant increasing of resistance in the whole temperature range examined at the irradiation dose of 1∙1017 ð+/cm2 . The interpretation of the observed changes in the physical parameters of the whiskers is proposed. Вивчено вплив протонного опромінення та сильних магнітних полів на електропровідність та магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в інтервалі температур 4,2–300 К. Виявлено зменшення опору кристалів у температурній області 4,2–40 К в процесі опромінення малими дозами протонів та істотне збільшення опору у всій дослідженій температурній області при опроміненні дозою 1∙1017 р+/см2. Запропоновано інтерпретацію виявлених змін фізичних параметрів ниткоподібних кристалів. Изучено влияние протонного облучения и сильных магнитных полей на электропроводимость и магнитосопротивление нитевидных кристаллов (НК) Si1-xGex (х = 0,03) с удельным сопротивлением ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в интервале температур 4,2– 300 К. Обнаружено уменьшение сопротивления кристаллов в температурной области 4,2– 40 К в процессе облучения малыми дозами протонов и существенное увеличение сопротивления во всей исследуемой температурной области при облучении дозой 1∙1017 р+/см2. Предложено интерпретацию обнаруженных изменений физических параметров нитевидных кристаллов. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|