Homoepitaxial growth of catalyst-free GaN wires on N-polar substrates
| Autor: | Christophe Durand, Guillaume Perillat-Merceroz, Xiaojun Chen, Diane Sam-Giao, Joël Eymery |
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| Přispěvatelé: | Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: |
III-V semiconductors
Materials science Physics and Astronomy (miscellaneous) 81.07.Gf 81.07.Vb 81.15.Gh 81.05.Ea 61.46.Km 78.67.Uh Nanowire 02 engineering and technology Chemical vapor deposition Epitaxy 01 natural sciences Crystal 0103 physical sciences Metalorganic vapour phase epitaxy 010302 applied physics vapour phase epitaxial growth wide band gap semiconductors business.industry Wide-bandgap semiconductor semiconductor quantum wires 021001 nanoscience & nanotechnology semiconductor growth nanowires Electron diffraction MOCVD [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] Sapphire electron diffraction nanofabrication Optoelectronics nitridation gallium compounds 0210 nano-technology business |
| Zdroj: | Applied Physics Letters Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 97 (15), pp.151909. ⟨10.1063/1.3497078⟩ Applied Physics Letters, 2010, 97 (15), pp.151909. ⟨10.1063/1.3497078⟩ |
| ISSN: | 1077-3118 0003-6951 |
| DOI: | 10.1063/1.3497078 |
| Popis: | 3 pages; International audience; The shape of c-oriented GaN nanostructures is found to be directly related to the crystal polarity. As evidenced by convergent beam electron diffraction applied to GaN nanostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy on c-sapphire substrates: wires grown on nitridated sapphire have the N-polarity ([000math]) whereas pyramidal crystals have Ga-polarity ([0001]). In the case of homoepitaxy, the GaN wires can be directly selected using N-polar GaN freestanding substrates and exhibit good optical properties. A schematic representation of the kinetic Wulff's plot points out the effect of surface polarity. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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