Development of 1 eV InGaAsN PIN subcell for MJSC integration and space application
Autor: | Sophie Duzellier, Guilhem Almuneau, Laurent Artola, Chantal Fontaine, Inès Massiot, Corinne Aicardi, T. Nuns, S. Parola, Alexandre Arnoult, Maxime Levillayer, Christophe Inguimbert, Hélène Carrère |
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Přispěvatelé: | ONERA / DPHY, Université de Toulouse [Toulouse], ONERA-PRES Université de Toulouse, Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Équipe Photonique (LAAS-PHOTO), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique (M@CSEE), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), IEEE, Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées |
Rok vydání: | 2020 |
Předmět: |
MJSC
010302 applied physics Materials science Annealing (metallurgy) Analytical chemistry 02 engineering and technology Substrate (electronics) Nitride 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences Temperature measurement [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials Gallium arsenide dilute nitride chemistry.chemical_compound Pulmonary surfactant Molecular beam epitaxial growth chemistry 0103 physical sciences InGaAsN space applications [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic 1eV cell [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics 0210 nano-technology |
Zdroj: | 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47) 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 47), IEEE, Jun 2020, Calgary (virtual), Canada. ⟨10.1109/PVSC45281.2020.9300570⟩ |
DOI: | 10.1109/pvsc45281.2020.9300570 |
Popis: | International audience; This paper reports on the optimization of 1eV dilute nitride solar cells growth conditions. InGaAsN cells were grown by MBE under different conditions (V/III ratio, substrate temperature, surfactant) and were processed without post-growth annealing. Characterization results suggest that the V/III ratio should be kept above 10 and that using Bi as a surfactant does not improve the cell performances. Our best InGaAsN cells exhibit Jsc and Voc values of 7.9 mA/cm 2 and 0.375 V respectively, under AM0> 870 nm and without ARC. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |