Chalcogénures pour le stockage de l’information : mémoires ioniques (CB-RAM) et mémoires à changement de phase (PC-RAM)
| Autor: | Annie Pradel, Andrea Piarristeguy |
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| Přispěvatelé: | Institut Charles Gerhardt Montpellier - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier (ICGM ICMMM), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Université Montpellier 1 (UM1)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Institut de Chimie du CNRS (INC), ANR-11-BS08-0012,TEAM,Nouvelles fonctionnalités des matériaux amorphes à base de tellure(2011), ANR-05-BLAN-0058,chalmemstory,développement de nouveaux matériaux à base de chalcogénures pour applications avancées dans le domaine du stockage de l'information(2005) |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: |
010302 applied physics
matériaux à changement de phase 0103 physical sciences microscopie en champ proche co-évaporation thermique [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] General Materials Science Verres chalcogénures 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology 0210 nano-technology conductivité ionique 01 natural sciences |
| Zdroj: | Matériaux & Techniques Matériaux & Techniques, EDP Sciences, 2015, 103, pp.402. ⟨10.1051/mattech/2015041⟩ |
| ISSN: | 0032-6895 1778-3771 |
| Popis: | International audience; Les verres chalcogénures possèdent des propriétés uniques qui permettent d’envisager leur utilisation pour le développement de mémoires électriques susceptibles de remplacer les mémoires flash actuelles. D’une part, les verres sulfures et séléniures " dopés" par des ions argent présentent une conductivité ionique élevée, propriété qui pourrait être mise à profit pour le développement de mémoires ioniques CB-RAM. D’autre part, la haute photosensibilité des tellurures – matériaux à changement de phase – a permis le succès du développement puis de la commercialisation de dispositifs pour le stockage optique de l’information (CD-RW, DVD-RW, BD). Ces dernières années, ces matériaux font l’objet d’intenses recherches pour le développement de mémoires électriques PC-RAM. L’objectif de cet article est d’apporter un éclairage sur ces matériaux et sur les mécanismes susceptibles d’expliquer les commutations électriques en leur sein. Dans le cas des mémoires ioniques CB-RAM, nous avons d’abord réalisé une caractérisation structurale et électrique du matériau actif Agx(Ge0,25Se0,75)100−x sous forme de verre massif. Puis nous avons procédé à une étude de la commutation électrique au sein de multi-couches minces Ag/Ge25Se75 par une méthode innovante : la microscopie à force atomique conductrice (C-AFM). Dans le cas des mémoires PC-RAM, une étude systématique de couches épaisses amorphes du système GexTe100−x a été effectuée afin d’établir une corrélation entre la structure et le vieillissement des couches. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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